ASB ALN1425
" (1146)ASB GaN 15/20/25W X-band Radar MMIC
RQR-HBT-SOT89-A ASB的InGaP HBT放大器可靠性和鉴定报告
本报告为ASB公司InGaP HBT放大器的可靠性及认证报告。报告内容涵盖产品可靠性定义、认证程序、测试方法及结果。产品采用InGaP HBT半导体工艺制造,封装类型为SOT89。报告详细介绍了产品的高温操作寿命、无偏压灭菌、温度循环、高温存储、可焊性、湿度和回流敏感性、人体模型静电放电和机器模型静电放电等测试,所有测试均符合相关标准,未出现故障。
RQR-HBT-SOT363-A ASB的InGaP HBT放大器可靠性和鉴定报告
本报告为ASB公司InGaP HBT放大器的可靠性及认证报告,涉及产品包括ASW114、ASW235、ASW126。报告介绍了产品可靠性定义、认证程序、测试方法及结果,确保产品在多种环境下长期稳定运行。报告详细描述了SOT363封装类型、可靠性测试方法,包括高温工作寿命、无偏压灭菌、温度循环、高温存储、可焊性、湿度和回流敏感性、人体模型静电放电和机器模型静电放电等测试,所有测试均未出现故障。
QR高电子迁移率晶体管-SOT89-A ASB的InGaAs E-pHEMT电子迁移率晶体管放大器鉴定报告
本报告为ASB公司InGaAs E-pHEMT放大器的可靠性及认证报告。报告详细介绍了ASB公司采用InGaAs增强型pHEMT半导体工艺制造的高线性度增益模块和低噪声放大器的可靠性测试方法和结果。报告涵盖了产品在不同环境应力下的性能表现,包括高温工作寿命、无偏压灭菌、温度循环、高温存储、可焊性、湿度和回流敏感性、人体模型静电放电和机器模型静电放电等测试。所有测试均符合ISO 9001:2000、ISO 14001:2004和JEDEC标准,旨在确保产品长期稳定运行。
QR高电子迁移率晶体管-UQFN6-A ASB的InGaAs E-pHEMT电子迁移率晶体管放大器鉴定报告
本报告为ASB公司InGaAs E-pHEMT放大器的可靠性及认证报告,主要涉及产品性能、可靠性测试方法及结果。报告详细介绍了产品采用InGaAs增强型pHEMT半导体工艺制造,并采用UQFN6封装。报告涵盖了高温操作寿命、无偏压灭菌、温度循环、高温存储、可焊性、湿度/回流敏感度、人体模型ESD和机器模型ESD等多项可靠性测试,所有测试均符合JEDEC标准,结果显示产品性能稳定可靠。
ASB的InGaAs E-pHEMT电子迁移率晶体管放大器的QR高电子迁移率晶体管-TDFN10-A鉴定报告
本报告为ASB InGaAs E-pHEMT放大器的可靠性及认证报告。报告介绍了ASB高线性低噪声放大器的可靠性,采用InGaAs增强型pHEMT半导体工艺制造。报告涵盖了产品性能、环境应力响应、可靠性测试方法、测试标准和结果等内容。测试包括高温工作寿命、无偏压高压灭菌、温度循环、高温存储、可焊性、湿度和回流敏感性、人体模型静电放电和机器模型静电放电等。所有测试均符合ISO 9001:2000、ISO 14001:2004和JEDEC标准,确保产品长期稳定运行。
QR高电子迁移率晶体管-DFN6-A ASB的InGaAs E-pHEMT电子迁移率晶体管放大器鉴定报告
本报告为ASB公司InGaAs E-pHEMT放大器的可靠性及认证报告,涉及ASL19D、AST20D、AST30S等型号产品。报告详细介绍了产品可靠性测试方法,包括高温工作寿命、无偏压灭菌、温度循环、高温存储、可焊性、湿气/回流敏感性、人体模型ESD和机器模型ESD等测试,确保产品在各种环境下长期稳定运行。
QR高电子迁移率晶体管SOT89-LA ASB的InGaAs E-pHEMT电子迁移率晶体管低噪声放大器鉴定报告
本报告为ASB InGaAs E-pHEMT低噪声放大器的可靠性及认证报告。报告详细介绍了产品可靠性测试方法,包括高温操作寿命、无偏压灭菌、温度循环、高温存储、可焊性、湿度和回流敏感性、人体模型静电放电(HBM)和机器模型静电放电(MM)等测试。所有测试均符合JEDEC标准,旨在确保产品在各种环境条件下长期稳定运行。
QR高电子迁移率晶体管SOT89-CA ASB的InGaAs E-pHEMT电子迁移率晶体管CATV放大器鉴定报告
本报告为ASB公司InGaAs E-pHEMT CATV放大器的可靠性及认证报告。报告详细介绍了产品可靠性测试方法、测试标准和测试结果,包括高温操作寿命、无偏压灭菌、温度循环、高温存储、可焊性、湿度和回流敏感性、人体模型ESD和机器模型ESD等测试。所有测试均符合JEDEC标准,且产品表现良好,无故障发生。
QR高电子迁移率晶体管-SOT363-A ASB的InGaAs E-pHEMT电子迁移率晶体管放大器鉴定报告
本报告为ASB公司InGaAs E-pHEMT放大器的可靠性及认证报告。报告详细介绍了产品可靠性测试方法、测试标准和测试结果,包括高温工作寿命、无偏压灭菌、温度循环、高温存储、可焊性、湿度和回流敏感性、人体模型ESD和机器模型ESD等测试项目。所有测试均符合JEDEC标准,结果显示产品性能稳定,满足认证要求。
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QR高电子迁移率晶体管SOT89-GB ASB的InGaAs E-pHEMT电子迁移率晶体管增益块放大器鉴定报告
本报告为ASB InGaAs E-pHEMT增益块放大器的可靠性及认证报告。报告概述了产品可靠性测试方法,包括高温操作寿命、无偏压高压釜、温度循环、高温存储、可焊性、湿度和回流敏感性、人体模型ESD和机器模型ESD等测试。所有测试均符合JEDEC标准,旨在确保产品在各种环境条件下长期稳定运行。
QR高电子迁移率晶体管-SOT89-IF ASB的InGaAs E-pHEMT电子迁移率晶体管中频放大器鉴定报告
本报告为ASB公司InGaAs E-pHEMT IF放大器的可靠性及认证报告。报告详细介绍了产品可靠性测试方法、测试标准和结果,包括高温工作寿命、无偏压灭菌、温度循环、高温存储、可焊性、湿度和回流敏感性、人体模型ESD和机器模型ESD等测试项目。所有测试均符合ISO 9001:2000、ISO 14001:2004和JEDEC标准,确保产品在长期使用中性能稳定可靠。
AWG2015 ASB InGaAs E-pHEMT电子迁移晶体管增益块放大器可靠性鉴定报告
本报告为ASB InGaAs E-pHEMT增益块放大器的可靠性及认证报告。报告详细介绍了ASB AWG系列高线性增益块放大器的可靠性测试,包括高温工作寿命、无偏压灭菌、温度循环、高温存储、可焊性、湿度和回流敏感性、人体模型ESD和机器模型ESD等测试。所有测试均符合JEDEC标准,旨在确保产品在各种环境条件下长期稳定运行。
RQR高电子迁移率晶体管-SOIC8-A ASB的InGaAs E-pHEMT电子迁移率晶体管放大器可靠性和鉴定报告
本报告为ASB公司InGaAs E-pHEMT放大器的可靠性及认证报告。报告详细介绍了产品可靠性测试方法,包括高温操作寿命、无偏压高压灭菌、温度循环、高温存储、可焊性、湿度/回流敏感性、人体模型静电放电(HBM)和机器模型静电放电(MM)等测试。所有测试均符合JEDEC标准,旨在确保产品在各种环境条件下长期稳定运行。
Maximum Input Power Analysis of ASB’s MMIC Amplifiers Application Note
微波单片集成电路放大器的最大输入功率分析
本资料分析了ASB公司MMIC放大器的最大输入功率。通过测试不同型号的MMIC放大器,在特定负载条件下,确定了其最大输入功率水平,以确保系统设计的安全性。测试包括静态RF PIN测试,并记录了在功率增加时的性能变化和烧毁水平。资料提供了详细的测试结果,包括供电压、测试频率、测试前后的电流和增益变化,以及烧毁功率水平。
ASB冲击信息
资料详细介绍了ASB SHOK-BLOC®减震器的相关信息,包括不同尺寸(1英寸、2英寸、3英寸)的冲程长度、紧凑型一体式机身、现场可调节性、与低容量单元可互换性、坚固耐用且运动部件少等特点。资料还提供了如何订购ASB SHOK-BLOCS减震器的说明,包括型号标识、公称直径、冲程长度、活塞杆返回方式、安装方式等详细信息。此外,还提供了尺寸选择图和性能参数表,包括最大工作容量和散热能力。
ASB Product Portfolio
ASB AWG系列宽带增益模块放大器选型指南
ASB has designed and manufactured MMICs since 1998. The test capability covers up to 50 GHz for on-wafer measurement and microwave range for packaged MMIC & module testing. The MMIC products include highly linear LNAs, gain blocks, and power amplifiers with low DC power consumption for use in up to 6 GHz applications.~~~~~~ASB自1998年开始设计和制造微波单片集成电路。测试能力覆盖高达50 GHz的晶圆上测量和封装微波单片集成电路和模块测试的微波范围。微波单片集成电路产品包括高线性LNA、增益块和低直流功耗功率放大器,可用于高达6GHz的应用。
ASB 微波GaAs/GaN高功率运算放大器选型指南
ASB has designed and manufactured MMICs since 1998. The test capability covers up to 50 GHz for on-wafer measurement and microwave range for packaged MMIC & module testing. The MMIC products include highly linear LNAs, gain blocks, and power amplifiers with low DC power consumption for use in up to 6 GHz applications.~~~~~~ASB自1998年开始设计和制造微波单片集成电路。测试能力覆盖高达50 GHz的晶圆上测量和封装微波单片集成电路和模块测试的微波范围。微波单片集成电路产品包括高线性LNA、增益块和低直流功耗功率放大器,可用于高达6GHz的应用。
ASB ASL系列应用于移动通信的低噪声放大器选型指南
ASB has designed and manufactured MMICs since 1998. The test capability covers up to 50 GHz for on-wafer measurement and microwave range for packaged MMIC & module testing. The MMIC products include highly linear LNAs, gain blocks, and power amplifiers with low DC power consumption for use in up to 6 GHz applications.~~~~~~ASB自1998年开始设计和制造微波单片集成电路。测试能力覆盖高达50 GHz的晶圆上测量和封装微波单片集成电路和模块测试的微波范围。微波单片集成电路产品包括高线性LNA、增益块和低直流功耗功率放大器,可用于高达6GHz的应用。
ASB GaAs GaN功率放大器/增益放大器选型指南
ASB has designed and manufactured MMICs since 1998. The test capability covers up to 50 GHz for on-wafer measurement and microwave range for packaged MMIC & module testing. The MMIC products include highly linear LNAs, gain blocks, and power amplifiers with low DC power consumption for use in up to 6 GHz applications.~~~~~~ASB自1998年开始设计和制造微波单片集成电路。测试能力覆盖高达50 GHz的晶圆上测量和封装微波单片集成电路和模块测试的微波范围。微波单片集成电路产品包括高线性LNA、增益块和低直流功耗功率放大器,可用于高达6GHz的应用。
ASB GaAs,GaN CATV放大器/功率放大器/低噪声放大器/增益模块放大器选型指南
ASB has designed and manufactured MMICs since 1998. The test capability covers up to 50 GHz for on-wafer measurement and microwave range for packaged MMIC & module testing. The MMIC products include highly linear LNAs, gain blocks, and power amplifiers with low DC power consumption for use in up to 6 GHz applications.~~~~~~ASB自1998年开始设计和制造微波单片集成电路。测试能力覆盖高达50 GHz的晶圆上测量和封装微波单片集成电路和模块测试的微波范围。微波单片集成电路产品包括高线性LNA、增益块和低直流功耗功率放大器,可用于高达6GHz的应用。
ASB GaAs CATV有线电视放大器选型指南
ASB has designed and manufactured MMICs since 1998. The test capability covers up to 50 GHz for on-wafer measurement and microwave range for packaged MMIC & module testing. The MMIC products include highly linear LNAs, gain blocks, and power amplifiers with low DC power consumption for use in up to 6 GHz applications.~~~~~~ASB自1998年开始设计和制造微波单片集成电路。测试能力覆盖高达50 GHz的晶圆上测量和封装微波单片集成电路和模块测试的微波范围。微波单片集成电路产品包括高线性LNA、增益块和低直流功耗功率放大器,可用于高达6GHz的应用。
AWG0123E数据手册更新产品更改通知(PCN21001)
ASB公司发布产品变更通知PCN21001,宣布对其产品AWG0123E的数据表进行了更新。主要变更包括将产品标记字母从原来的字母更改为C23,以改善可读性。此次变更不会影响产品的形状、尺寸、功能、质量及可靠性。如有疑问,请联系ASB公司或当地销售代表。
[PCN]ABX0618Q数据表更新(PCN20001)
ASB公司发布产品变更通知PCN20001,涉及产品ABX0618Q的数据表更新。主要变更包括:1)数据表1.4节中的封装类型从“32引脚”更改为“40引脚”,但封装轮廓、暴露焊盘尺寸、射频输入/输出引脚位置和直流偏置引脚位置未变;2)数据表4.1节中的封装原理图已更改,但应用电路未变;3)数据表4.3节中的引脚描述已更改,封装底部照片已更改,引脚编号和描述已更正;4)数据表4.5节中添加了评估板布局;5)数据表5节中的封装轮廓已更改。这些变更不影响产品的形状、尺寸、功能、质量和可靠性。
ASL033/AST11L产品报废通知单(PON21001)
本通知宣布,由于销售量低,以下产品将于2022年5月24日停止生产。最后一次购买订单将于2022年1月24日接受,并确保在2022年5月24日前发货。任何关于此通知的疑问,可通过电话+82-42-528-7225或电子邮件sales@asb.co.kr联系ASB,或联系当地的ASB销售代表。ASB销售代表名单可在[www.asb.co.kr](http://www.asb.co.kr/)找到。表格中提供了关于过时零件编号及其建议替代零件的信息。最后购买和最后发货日期分别为2022年1月24日和2022年5月24日。
PON18001 Product Obsolete Notice
ASW338 Datasheet Updates Product Change Notice (PCN)(PCN23001)
ABB1513 & ABU1513 Datasheet Updates Product Change Notice
Part Number Change on AWB207 Product Change Notice
ASX1437 Datasheet Updates Product Change Notice
AST54S Datasheet Updates Product Change Notice (PCN)(PCN23004)
PON17001 Product Obsolete Notice
ASB ADDRESSABLE SOUNDER BASE
ASB AWB31D1 1.2 GHz CATV Push-pull Amplifier MMIC
BLIDCB 3.5 ASB
Model ASB Aluminum-Silicon-Bronze, Positive Seal (Tied Seat), High Flow Regulators
TYPE ASB:50 through 225 Amperes Data Sheet
Multilayer Piezoelectric Actuators ASB Series Metal Sealed 85°C
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ASB 45 x 45 x 10 MM SERIES
ASB 35 x 35 x 10 MM SERIES
ASB Series Metal Sealed 85°C Multilayer Piezoelectric Actuators
RRP-A推荐回流模式
本资料由ASB提供,针对所有塑料封装的ASB元器件(如SOT89、SOT363、SOIC8、DFN6等)推荐回流曲线。所有产品均采用无铅纯锡(Sn)表面处理,适用于SnPb合金和Pb-free合金焊接工艺。推荐回流曲线包括预热、升温、保温和降温阶段,并强调保温时间及温度控制。
SOT89、SOT363、SOT343、SOIC8、DFN6、TDFN8、TDFN10、UQFN-6、UQFN-14L、TSSOP24、QFN24 RRP-A推荐回流配置文件
本资料介绍了适用于所有ASB塑料封装产品的推荐回流曲线(RRP-A),包括SOT89、SOT363、SOT343、SOIC8、DFN6、TDFN8、TDFN10、UQFN-6、UQFN-14L、TSSOP24、QFN24等。所有这些产品均采用无铅纯 matte 锡(Sn)进行封装,适用于SnPb合金和Pb-free合金的焊接工艺。资料中提供了ASB针对塑料封装产品研究的推荐回流曲线图。
Wideband Driver Amplifiers 5 ~ 1200 MHz, AWB-series
IF-dedicated Gain Block Amplifiers 5 ~ 1200 MHz, ASF-series
Wide-band Gain Block Amplifiers AWG-series for 30~1200 MHz Application
塑料封装微波单片集成电路带卷信息
本资料提供了多种塑料封装的MMIC(微波集成电路)的带卷信息,包括SOT89、SOIC8、SOT363、SOT343、DFN6、UQFN6、UQFN-14L、TDFN8、TSSOP24、QFN-16L、QFN-24L、TDFN10等封装类型。资料中包含了每种封装的带卷信息,包括销售联系信息和发布日期。